Struktūra un fotofizikālie procesi 0D un 1D InGaN kompozītu materiālos

Abstract

Šajā disertācijā tiek aprakstīti strukturālās un fotofizikālās MOCVD izaudzēto GaN nanovadu (NV) un InGaN kvantu punktu (KP) īpašības. Abos gadījumos ir parādīts, ka ex-situ RHEED mērījumi ir iespējami un sniedz kvalitatīvu informāciju par struktūru. Kombinācijā ar citām metodēm, pirmkārt, ir parādīts, ka nemetāliskā katalizatora veicinātā GaN NV īpašības, kad sintezēts uz GaN (0001) virsmas, atšķiras no tradicionāli iegūtajiem. Šinī gadījumā katalizators lokalizējas pie nanovadu pamatnes nevis tā galā un augšanas virziens ir atšķirīgs no kristalogrāfiskās c-ass, rezultātā iegūstot semipolārās NV struktūras. Otrkārt, InGaN kvantu punktos ir konstatēt saspiesta kristāliskā režģa struktūra augstas indija koncentrācijas gadījumos.

The thesis describes structural and photophysical properties of MOCVD grown GaN nanowires (NWs) and InGaN quantum dots (QDs). For both cases it is shown that ex-situ RHEED measurements are feasible and yield qualitative information about the structure. In combination with other methods, firstly, it is shown that non-metallic catalyst assisted GaN NW characteristics differs from traditionally obtained ones, where catalyst seems to be located at the base of nanowire not top, and growth direction slightly differs from c-axes when synthesized on GaN (0001) surface, which results in semipolar NW structures. Secondly, for InGaN composite it was possible to recognize a strongly strained lattice in case of high indium concentration within QDs.